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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 270K | |
描述 | ||
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.66 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXYA50N65C3-TRL | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXYA8N250CHV | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、 | |
IXYA8N90C3D1 | IXYS |
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900V XPTTM IGBT | |
IXYA8N90C3D1 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYB82N120C3H1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, PLUS264, 3 PIN | |
IXYB82N120C3H1 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYF16N250CV1 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、 | |
IXYF30N170CV1 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXYF30N450 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXYF30N450 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |