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IXYA50N65C3

更新时间： 2024-11-18 19:53:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅
页数 文件大小 规格书
7页 270K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXYA50N65C3 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
Base Number Matches：1

IXYA50N65C3 数据手册

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Preliminary Technical Information  
XPTTM 650V IGBT  
GenX3TM  
VCES = 650V  
IC110 = 50A  
VCE(sat)  2.10V  
tfi(typ) = 26ns  
IXYA50N65C3  
IXYP50N65C3  
IXYH50N65C3  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 20-60kHz Switching  
TO-263 (IXYA)  
G
E
C (Tab)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-220 (IXYP)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
C (Tab)  
E
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
132  
50  
250  
A
A
A
TO-247 AD (IXYH)  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
A
400  
mJ  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 5  
Clamped Inductive Load  
ICM = 100  
A
μs  
W
G
C
E
C (Tab)  
(RBSOA)  
VCE VCES  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
8
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
Tab = Collector  
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
PC  
TC = 25°C  
600  
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
Optimized for 20-60kHz Switching  
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
International Standard Packages  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-247 & TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Advantages  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-247  
2.5  
3.0  
6.0  
g
g
g
High Power Density  
Extremely Rugged  
Low Gate Drive Requirement  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
3.5  
Typ.  
Max.  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.0  
15 A  
250 A  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 36A, VGE = 15V, Note 1  
1.73  
2.10  
2.10  
V
V
High Frequency Power Inverters  
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100552C(9/14)  
1234567

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与IXYA50N65C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYA50N65C3-TRL IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYA8N250CHV LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYA8N90C3D1 IXYS

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 		900V XPTTM IGBT
IXYA8N90C3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYB82N120C3H1 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, PLUS264, 3 PIN
IXYB82N120C3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYF16N250CV1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYF30N170CV1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF30N450 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF30N450 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,

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