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IXYH12N250CHV

更新时间： 2024-01-16 19:49:32

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力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
7页	322K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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IXYH12N250CHV 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage

XPT^TMIGBT

V_CES= 2500V

I_C110= 12A

V_CE(sat) 4.50V

t_fi(typ)= 136ns

IXYA12N250CHV

IXYH12N250CHV

TO-263HV (IXYA)

C (Tab)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

2500

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

TO-247HV (IXYH)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 10

Clamped Inductive Load

I_CM= 48

1500

C (Tab)

P_C

T_C= 25°C

310

G = Gate

= Collector

E = Emitter

Tab = Collector

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



High Voltage Packages

High Blocking Voltage

M_d

Mounting Torque (TO-247HV)

1.13/10

Nm/lb.in.



Weight

TO-263HV

TO-247HV

2.5

6.0

High Peak Current Capability

Low Saturation Voltage

Advantages



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Low Gate Drive Requirement

High Power Density



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

2500

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Applications

5.0

10 A

100 nA



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Laser Generators

Capacitor Discharge Circuits

AC Switches

T_J= 150C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V



V_CE(sat)

I_C= 12A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 150C

3.70

5.55

4.50



DS100836A(5/17)

12 3 4 5 6 7

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