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IXYH12N250CHV

更新时间： 2024-11-06 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
7页	322K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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IXYH12N250CHV 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage

XPT^TMIGBT

V_CES= 2500V

I_C110= 12A

V_CE(sat) 4.50V

t_fi(typ)= 136ns

IXYA12N250CHV

IXYH12N250CHV

TO-263HV (IXYA)

C (Tab)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

2500

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

TO-247HV (IXYH)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 10

Clamped Inductive Load

I_CM= 48

1500

C (Tab)

P_C

T_C= 25°C

310

G = Gate

= Collector

E = Emitter

Tab = Collector

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



High Voltage Packages

High Blocking Voltage

M_d

Mounting Torque (TO-247HV)

1.13/10

Nm/lb.in.



Weight

TO-263HV

TO-247HV

2.5

6.0

High Peak Current Capability

Low Saturation Voltage

Advantages



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Low Gate Drive Requirement

High Power Density



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

2500

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Applications

5.0

10 A

100 nA



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Laser Generators

Capacitor Discharge Circuits

AC Switches

T_J= 150C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V



V_CE(sat)

I_C= 12A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 150C

3.70

5.55

4.50



DS100836A(5/17)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXYH16N170C	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH16N170CV1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH16N250CV1HV	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH20N120C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH20N120C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH20N65B3	IXYS	获取价格	Advance Technical Information
IXYH20N65B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH20N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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