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IXYH100N65B3

更新时间： 2024-01-03 09:50:07

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	259K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXYH100N65B3 数据手册

Advance Technical Information

XPT^TM650V IGBT

GenX3^TM

IXYH100N65B3

V_CES= 650V

I_C110= 100A

V_CE(sat) 1.85V

t_fi(typ)= 73ns

Extreme Light Punch Through

IGBT for 10-30kHz Switching

TO-247

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

Tab

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

G = Gate

E = Emitter

Collector

I_C25

I_LRMS

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

Terminal Current Limit

T_C= 110°C

225

160

100

Tab = Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

460

I_A

E_AS

T_C= 25°C

Features

600



Optimized for 10-30kHz Switching

Square RBSOA

Avalanche Rated

Short Circuit Capability

High Current Handling Capability

International Standard Package

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 3

Clamped Inductive Load

I_CM= 200

μs



(RBSOA)

V_CE V_CES

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

(SCSOA)

R_G= 10, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

830

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

Advantages

-55 ... +175



High Power Density



Low Gate Drive Requirement

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in

Applications

Weight



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

3.5

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.0

Lamp Ballasts

25 A

T_J= 150C

750 A

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 70A, V_GE= 15V, Note 1

1.53

1.77

1.85

DS100632(10/14)

12 3 4 5 6 7

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