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IXYB82N120C3H1

更新时间： 2024-11-05 21:18:51

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	215K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, PLUS264, 3 PIN

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IXYB82N120C3H1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.41	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	160 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1040 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	295 ns
标称接通时间 (ton)：	119 ns	Base Number Matches：	1

IXYB82N120C3H1 数据手册

1200V XPT^TMIGBT

GenX3^TMw/ Diode

V_CES= 1200V

I_C110= 82A

V_CE(sat)≤ 3.2V

t_fi(typ)= 93ns

IXYB82N120C3H1

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

PLUS264^TM

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

T_C= 25°C (Chip Capability)

Lead Current Limit

T_C= 110°C

164

160

G = Gate

E = Emitter

Collector

I_LRMS

I_C110

I_F110

Tab = Collector

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

320

I_A

E_AS

T_C= 25°C

800

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 2Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 164

Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Anti-Parallel Ultra Fast Diode

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

Avalanche Rated

High Current Handling Capability

International Standard Package

(RBSOA)

@V_CE≤ V_CES

P_C

T_C= 25°C

1040

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

F_C

Mounting Force

30..120 / 6.7..27

N/lb.

Weight

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Applications

High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

5.0

50 μA

±100 nA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

V_CE(sat)

I_C= 82A, V_GE= 15V, Note 1

2.75

3.50

3.20

DS100355E(6/13)

12 3 4 5 6 7

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IXYF30N170CV1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF30N450	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF30N450	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF40N450	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH100N65A3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH100N65B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH100N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH10N170C	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH10N170CV1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、

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