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IXYH30N120C3

更新时间： 2024-11-19 14:56:35
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 213K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXYH30N120C3 数据手册

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1200V XPTTM  
VCES = 1200V  
IC110 = 30A  
VCE(sat)  3.3V  
tfi(typ) = 88ns  
IXYP30N120C3  
IXYH30N120C3  
GenX3TM IGBTs  
High-Speed IGBT  
for 20-50 kHz Switching  
TO-220 (IXYP)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
1200  
1200  
V
V
G
C
Tab  
E
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
TO-247 AD (IXYH)  
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
75  
30  
145  
A
A
A
G
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
20  
A
C
E
Tab  
=
400  
mJ  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 10  
Clamped Inductive Load  
ICM = 60  
A
G = Gate  
E = Emitter  
C
Collector  
(RBSOA)  
VCE VCES  
Tab = Collector  
PC  
TC = 25°C  
500  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
Features  
-55 ... +175  
High Voltage Package  
Optimized for Low Switching Losses  
Square RBSOA  
Positive Thermal Coefficient of  
Vce(sat)  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
Nm/lb.in  
Avalanche Rated  
International Standard Packages  
Weight  
TO-220  
TO-247  
3
6
g
g
Advantages  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1200  
3.0  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
High Frequency Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
5.0  
25 A  
750 μA  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 30A, VGE = 15V, Note 1  
3.3  
V
V
Lamp Ballasts  
3.7  
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100385D(9/13)  
1234567

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与IXYH30N120C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYH30N120C4 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYH30N170C LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH30N450HV LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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