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IXYH16N170CV1

更新时间： 2024-02-21 15:53:54

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
8页	248K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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Advance Technical Information

High Voltage

XPT^TMIGBT

w/ Diode

V_CES= 1700V

I_C110= 16A

V_CE(sat) 3.8V

t_fi(typ)= 120ns

IXYH16N170CV1

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1700

1700

V

V

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

G

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

C

Tab

=

E

I_C25

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 25°C

40

16

22

A

A

A

A

G = Gate

E = Emitter

C

Collector

T_C= 110°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

Tab = Collector

100

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 10

Clamped Inductive Load

I_CM= 64

1360

A

V

P_C

T_C= 25°C

310

W

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

°C

°C



-55 ... +175

High Voltage Package





High Blocking Voltage

Low Saturation Voltage

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

°C

M_d

Mounting Torque

1.13/10

6

Nm/lb.in.

g

Weight

Advantages



Low Gate Drive Requirement

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1700

3.0

Typ.

Max.



Switch-Mode and Resonant-Mode

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V

V

Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Laser Generators

Capacitor Discharge Circuits

5.0





V_CE= V_CES, V_GE= 0V

25 A

5 mA



V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V, T_J= 150C



AC Switches

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 16A, V_GE= 15V, Note 1

3.2

4.4

3.8

V

V

T_J= 150C

© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved.

DS100786(1/17)

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXYH16N250CV1HV	LITTELFUSE	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、	获取价格
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IXYH20N65B3	IXYS	Advance Technical Information	获取价格
IXYH20N65B3	LITTELFUSE	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT	获取价格
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