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IXYH16N170CV1

更新时间： 2024-11-19 14:56:39
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 248K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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Advance Technical Information  
High Voltage  
XPTTM IGBT  
w/ Diode  
VCES = 1700V  
IC110 = 16A  
VCE(sat)  3.8V  
tfi(typ) = 120ns  
IXYH16N170CV1  
TO-247 AD  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
1700  
1700  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
C
Tab  
=
E
IC25  
IC110  
IF110  
ICM  
TC = 25°C  
40  
16  
22  
A
A
A
A
G = Gate  
E = Emitter  
C
Collector  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
Tab = Collector  
100  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 10  
Clamped Inductive Load  
ICM = 64  
1360  
A
V
PC  
TC = 25°C  
310  
W
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
High Voltage Package  
High Blocking Voltage  
Low Saturation Voltage  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in.  
g
Weight  
Advantages  
Low Gate Drive Requirement  
High Power Density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1700  
3.0  
Typ.  
Max.  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
V
V
Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies (UPS)  
Laser Generators  
Capacitor Discharge Circuits  
5.0  
VCE = VCES, VGE = 0V  
25 A  
5 mA  
VCE = 0.8 • VCES, VGE = 0V, TJ = 150C  
AC Switches  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 16A, VGE = 15V, Note 1  
3.2  
4.4  
3.8  
V
V
TJ = 150C  
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved.  
DS100786(1/17)  
12345678

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与IXYH16N170CV1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYH16N250CV1HV LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH20N120C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH20N120C3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH20N65B3 IXYS

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 		Advance Technical Information
IXYH20N65B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH20N65C3 LITTELFUSE

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IXYH24N170C LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH24N170CV1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH24N90C3 LITTELFUSE

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