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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 211K | |
描述 | ||
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.73 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXYF30N450 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXYF30N450 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXYF40N450 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、 | |
IXYH100N65A3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYH100N65B3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYH100N65C3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYH10N170C | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、 | |
IXYH10N170CV1 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、 | |
IXYH120N65B3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYH120N65C3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |