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IXYH24N170C PDF预览

IXYH24N170C

更新时间： 2024-11-22 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管高压
页数 文件大小 规格书
7页 230K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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IXYH24N170C 数据手册

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Preliminary Technical Information  
High Voltage  
XPTTM IGBT  
VCES = 1700V  
IC110 = 24A  
VCE(sat)  4.0V  
tfi(typ) = 78ns  
IXYH24N170C  
TO-247 AD  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
C
Tab  
=
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
1700  
1700  
V
V
E
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G = Gate  
E = Emitter  
C
Collector  
Tab = Collector  
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
58  
24  
140  
A
A
A
SSOA  
(RBSOA)  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 5  
Clamped Inductive Load  
ICM = 96  
1360  
A
V
Features  
PC  
TC = 25°C  
500  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
High Voltage Package  
High Blocking Voltage  
Low Saturation Voltage  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in.  
g
Weight  
Low Gate Drive Requirement  
High Power Density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1700  
3.0  
Typ.  
Max.  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies (UPS)  
Laser Generators  
Capacitor Discharge Circuits  
5.0  
25 A  
3. 5 mA  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
AC Switches  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 24A, VGE = 15V, Note 1  
3.5  
5.0  
4.0  
V
V
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved.  
DS100787A(7/17)  
1234567

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与IXYH24N170C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYH24N170CV1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH24N90C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH24N90C3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH30N120A4 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYH30N120B4 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代（GenX4?）Trench IGBT工艺流程，这些高达
IXYH30N120C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH30N120C4 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYH30N170C LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH30N450HV LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH30N65B3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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