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IXYH30N120C4

更新时间： 2024-11-18 14:56:15

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力特 - LITTELFUSE		栅极驱动双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	280K
描述
通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。

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IXYH30N120C4 数据手册

Advance Technical Information

1200V XPT^TM

GenX4^TMIGBT

V_CES= 1200V

I_C110= 30A

V_CE(sat) 2.4V

t_fi(typ)= 53ns

IXYH30N120C4

High-Speed Low-Vsat PT IGBT

for up to 20-50kHz Switching

TO-247

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

Tab

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

G = Gate

E = Emitter

Collector

Tab = Collector

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

166

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5

Clamped Inductive Load

I_CM= 60

Features

(RBSOA)

V_CE 0.8 • V_CES



Optimized for Low Switching

Losses

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

P_C

T_C= 25°C

500



T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

International Standard Package

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Weight

Applications



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

4.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.5

10 A

T_J= 150C

500 A

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 25A, V_GE= 15V, Note 1

2.0

2.4

DS100930A(8/18)

12 3 4 5 6 7

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