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IXYF40N450

更新时间: 2024-11-19 14:56:51
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力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管高压
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5页 212K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数,这些高压IGBT可用于并联,相比串联低电压器件更加

IXYF40N450 数据手册

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Advance Technical Information  
High Voltage XPTTM IGBT  
VCES = 4500V  
IC110 = 32A  
VCE(sat) 3.9V  
IXYF40N450  
(Electrically Isolated Tab)  
ISOPLUS i4-PakTM  
Symbol  
VCES  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TC = 25°C to 150°C  
4500  
4500  
V
V
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
1
2
Isolated Tab  
5
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
60  
32  
A
A
A
1 = Gate  
2 = Emitter  
5 = Collector  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
350  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 10  
Clamped Inductive Load  
ICM = 120  
3600  
A
V
PC  
TC = 25°C  
290  
W
Features  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
Isolated Mounting Surface  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
4000V~ Electrical Isolation  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
High Blocking Voltage  
High Peak Current Capability  
Low Saturation Voltage  
FC  
Mounting Force  
20..120 / 4.5..27  
Nm/lb.in.  
VISOL  
Weight  
50/60Hz, 1 Minute  
4000  
5
V~  
g
Advantages  
Low Gate Drive Requirement  
High Power Density  
Symbol Test Conditions  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Characteristic Values  
Applications  
Min.  
4500  
3.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies (UPS)  
Laser Generators  
Capacitor Discharge Circuits  
5.0  
V
25 μA  
μA  
Note 2, TJ = 100°C  
100  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±200 nA  
AC Switches  
VCE(sat)  
IC = 40A, VGE = 15V, Note 1  
3.2  
4.0  
3.9  
V
V
TJ = 125°C  
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100617(5/14)  

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