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IXYH30N120A4

更新时间： 2024-11-06 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅极驱动双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 416K
描述
通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。 具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。

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IXYH30N120A4 数据手册

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Advance Technical Information  
1200V XPTTM  
GenX4TM IGBT  
VCES = 1200V  
IC110 = 30A  
VCE(sat)  1.9V  
tfi(typ) = 147ns  
IXYA30N120A4HV  
IXYP30N120A4  
IXYH30N120A4  
Ultra Low-Vsat PT IGBT for  
up to 5kHz Switching  
TO-263HV  
(IXYA..HV)  
G
E
C (Tab)  
TO-220  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
(IXYP)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
1200  
1200  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
E
C (Tab)  
IC25  
IC110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
106  
30  
A
A
TO-247  
(IXYH)  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
184  
A
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 5  
ICM = 60  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
VCE 0.8 • VCES  
G
PC  
TC = 25°C  
500  
W
C
C (Tab)  
E
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
Tab = Collector  
-55 ... +175  
Features  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Optimized for Low Conduction  
Positive Thermal Coefficient of  
Vce(sat)  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263HV)  
Mounting Torque (TO-220 & TO-247)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
International Standard Packages  
Weight  
TO-263HV  
TO-220  
TO-247  
2.5  
3.0  
6.0  
g
g
g
Advantages  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1200  
4.0  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.5  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
10 A  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
500 A  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 25A, VGE = 15V, Note 1  
1.6  
1.9  
1.9  
V
V
Inrush Current Protection Circuits  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100928A(8/18)  
12345678

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与IXYH30N120A4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYH30N120B4 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代（GenX4?）Trench IGBT工艺流程，这些高达
IXYH30N120C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH30N120C4 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYH30N170C LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH30N450HV LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH30N65B3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH30N65C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH30N65C3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH40N120B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH40N120B3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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