Datasheet > IXYF30N450

IXYF30N450

更新时间： 2024-11-18 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
4页	188K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXYF30N450 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	Base Number Matches：	1

IXYF30N450 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage XPT^TMIGBT

V_CES= 4500V

I_C110= 17A

V_CE(sat) 3.9V

IXYF30N450

(Electrically Isolated Tab)

ISOPLUS i4-Pak^TM

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_C= 25°C to 150°C

4500

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

Isolated Tab

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

1 = Gate

2 = Emitter

5 = Collector

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

190

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 15

Clamped Inductive Load

I_CM= 90

3600

P_C

T_C= 25°C

230

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C



Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

T_JM

T_stg

-55 ... +150



4000V~ Electrical Isolation

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C



High Blocking Voltage



High Peak Current Capability

Low Saturation Voltage

F_C

Mounting Force

20..120 / 4.5..27

Nm/lb.in.

V_ISOL

Weight

50/60Hz, 1 Minute

4000

Advantages



Low Gate Drive Requirement

High Power Density



Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

Applications

Min.

4500

3.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Laser Generators

Capacitor Discharge Circuits

5.0



25 μA

μA



Note 2, T_J= 100°C

100



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 25V

±200 nA

AC Switches

V_CE(sat)

I_C= 30A, V_GE= 15V, Note 1

3.2

4.5

3.9

T_J= 125°C

DS100569(11/13)

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与IXYF30N450相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYF40N450	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH100N65A3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH100N65B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH100N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH10N170C	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH10N170CV1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH120N65B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH120N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH12N250CHV	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH12N250CV1HV	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、

与IXYF30N450相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYF30N450

IXYF30N450 技术参数

IXYF30N450 数据手册

与IXYF30N450相关器件

与IXYF30N450相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYF30N450

IXYF30N450 技术参数

IXYF30N450 数据手册

与IXYF30N450相关器件

与IXYF30N450相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？