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IXYF30N450

更新时间： 2024-11-05 14:51:43

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IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
4页	188K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXYF30N450 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	Base Number Matches：	1

IXYF30N450 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage XPT^TMIGBT

V_CES= 4500V

I_C110= 17A

V_CE(sat) 3.9V

IXYF30N450

(Electrically Isolated Tab)

ISOPLUS i4-Pak^TM

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_C= 25°C to 150°C

4500

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

Isolated Tab

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

1 = Gate

2 = Emitter

5 = Collector

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

190

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 15

Clamped Inductive Load

I_CM= 90

3600

P_C

T_C= 25°C

230

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C



Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

T_JM

T_stg

-55 ... +150



4000V~ Electrical Isolation

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C



High Blocking Voltage



High Peak Current Capability

Low Saturation Voltage

F_C

Mounting Force

20..120 / 4.5..27

Nm/lb.in.

V_ISOL

Weight

50/60Hz, 1 Minute

4000

Advantages



Low Gate Drive Requirement

High Power Density



Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

Applications

Min.

4500

3.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Laser Generators

Capacitor Discharge Circuits

5.0



25 μA

μA



Note 2, T_J= 100°C

100



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 25V

±200 nA

AC Switches

V_CE(sat)

I_C= 30A, V_GE= 15V, Note 1

3.2

4.5

3.9

T_J= 125°C

DS100569(11/13)

12 3 4

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IXYH100N65B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH100N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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