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IXYF30N450 PDF预览

IXYF30N450

更新时间： 2024-02-02 13:13:06
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅
页数 文件大小 规格书
4页 188K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXYF30N450 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
Base Number Matches：1

IXYF30N450 数据手册

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IXYF30N450  
ISOPLUS i4-PakTM (HV) Outline  
Symbol Test Conditions  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Characteristic Values  
Min.  
Typ.  
Max.  
gfS  
IC = 30A, VCE = 10V, Note 1  
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 1MHz  
11  
18  
S
Cies  
Coes  
Cres  
1840  
83  
pF  
pF  
pF  
35  
Qg  
88  
11  
40  
nC  
nC  
nC  
Qge  
Qgc  
IC = 30A, VGE = 15V, VCE = 1000V  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
38  
318  
ns  
ns  
ns  
ns  
Resistive Switching Times, TJ = 25°C  
Pin 1 = Gate  
IC = 30A, VGE = 15V  
Pin2 = Emitter  
Pin 3 = Collector  
Tab 4 = Isolated  
168  
VCE = 960V, RG = 15  
1220  
42  
590  
ns  
ns  
ns  
ns  
Resistive Switching Times, TJ = 125°C  
IC = 30A, VGE = 15V  
180  
VCE = 960V, RG = 15  
1365  
RthJC  
RthCS  
0.54 °C/W  
°C/W  
0.15  
Notes:  
1. Pulse test, t < 300s, duty cycle, d < 2%.  
2. Device must be heatsunk for high-temperature leakage current  
measurements to avoid thermal runaway.  
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION  
The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are derived  
from a subjective evaluation of the design, based upon prior knowledge and experience, and constitute  
a "considered reflection" of the anticipated result. IXYS reserves the right to change limits, test  
conditions, and dimensions without notice.  
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions and Dimensions.  
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered  
by one or more of the following U.S. patents: 4,860,072 5,017,508  
4,881,106 5,034,796  
4,835,592 4,931,844  
5,049,961  
5,063,307  
5,187,117  
5,237,481  
5,381,025  
5,486,715  
6,162,665  
6,259,123 B1  
6,306,728 B1  
6,404,065 B1 6,683,344  
6,534,343  
6,583,505  
6,727,585  
6,710,405 B2 6,759,692  
6,710,463  
7,005,734 B2 7,157,338B2  
7,063,975 B2  
6,771,478 B2 7,071,537  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYF40N450 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH100N65A3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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IXYH12N250CV1HV LITTELFUSE

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