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IXYH30N65B3D1

更新时间： 2024-11-21 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 228K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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Advance Technical Information  
XPTTM 650V IGBT  
GenX3TM w/ Diode  
VCES = 650V  
IC110 = 30A  
VCE(sat)  2.1V  
tfi(typ) = 33ns  
IXYH30N65B3D1  
IXYQ30N65B3D1  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 5-30kHz Switching  
TO-247 (IXYH)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
G
C
Tab  
E
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
TO-3P (IXYQ)  
IC25  
IC110  
IF110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
70  
30  
50  
A
A
A
G
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
160  
A
C
E
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
10  
A
Tab  
300  
mJ  
SSOA  
V
GE= 15V, TVJ = 150°C, RG = 10  
ICM = 60  
A
μs  
W
G = Gate  
E = Emitter  
C
=
Collector  
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE VCES  
Tab = Collector  
tsc  
VGE= 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
5
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
Features  
PC  
TC = 25°C  
270  
Optimized for Low 5-30kHz Switching  
Square RBSOA  
Anti-Parallel Fast Diode  
Avalanche Rated  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
Short Circuit Capability  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
Nm/lb.in  
Weight  
TO-247  
TO-3P  
6.0  
5.5  
g
g
High Power Density  
Extremely Rugged  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
3.5  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
6.0  
10 A  
1.5 mA  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 30A, VGE = 15V, Note 1  
1.8  
2.2  
2.1  
V
V
Lamp Ballasts  
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100637(11/14)  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYH30N65C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH30N65C3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH40N120B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH40N120B3D1 LITTELFUSE

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IXYH40N120B4 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代（GenX4?）Trench IGBT工艺流程，这些高达
IXYH40N120C3D1 LITTELFUSE

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