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IXYH30N65C3

更新时间： 2024-11-19 14:56:51
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力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 214K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXYH30N65C3 数据手册

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XPTTM 650V IGBT  
GenX3TM  
VCES = 650V  
IC110 = 30A  
VCE(sat)  2.7V  
tfi(typ) = 24ns  
IXYP30N65C3  
IXYH30N65C3  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 20-60kHz Switching  
TO-220  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
C
Tab  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
E
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
TO-247  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
60  
30  
118  
A
A
A
G
C
Tab  
E
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
10  
A
300  
mJ  
G = Gate  
E = Emitter  
C
=
Collector  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 10  
Clamped Inductive Load  
ICM = 60  
A
μs  
W
Tab = Collector  
(RBSOA)  
VCE VCES  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
8
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
Features  
PC  
TC = 25°C  
270  
Optimized for 20-60kHz Switching  
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
International Standard Packages  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
Nm/lb.in  
High Power Density  
Extremely Rugged  
Low Gate Drive Requirement  
Weight  
TO-220  
TO-247  
3
6
g
g
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
3.5  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
6.0  
15 A  
200 A  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 30A, VGE = 15V, Note 1  
2.35  
2.58  
2.70  
V
V
High Frequency Power Inverters  
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100539C(10/14)  
1234567

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与IXYH30N65C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYH30N65C3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH40N120B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH40N120B3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH40N120B4 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代（GenX4?）Trench IGBT工艺流程，这些高达
IXYH40N120C3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH40N120C4 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYH40N65B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH40N65B3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH40N65C3 LITTELFUSE

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IXYH40N65C3D1 IXYS

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