Datasheet > IXYH16N170C

IXYH16N170C

更新时间： 2024-11-06 14:56:11

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
7页	239K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXYH16N170C 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage

XPT^TMIGBT

V_CES= 1700V

I_C110= 16A

V_CE(sat) 3.8V

t_fi(typ)= 120ns

IXYH16N170C

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1700

Tab

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

G = Gate

E = Emitter

Collector

Tab = Collector

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

100

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 10

Clamped Inductive Load

I_CM= 64

1360

P_C

T_C= 25°C

310

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



High Voltage Package



High Blocking Voltage

Low Saturation Voltage

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Advantages

Weight



Low Gate Drive Requirement



High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1700

3.0

Typ.

Max.



Switch-Mode and Resonant-Mode

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Laser Generators

Capacitor Discharge Circuits

5.0



25 A

100 nA



T_J= 150C



AC Switches

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

V_CE(sat)

I_C= 16A, V_GE= 15V, Note 1

3.2

4.4

3.8

DS100785(1/17)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXYH16N170C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYH16N170CV1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH16N250CV1HV	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH20N120C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH20N120C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH20N65B3	IXYS	获取价格	Advance Technical Information
IXYH20N65B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH20N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH24N170C	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH24N170CV1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH24N90C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

与IXYH16N170C相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYH16N170C

IXYH16N170C 数据手册

与IXYH16N170C相关器件

与IXYH16N170C相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYH16N170C

IXYH16N170C 数据手册

与IXYH16N170C相关器件

与IXYH16N170C相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？