5秒后页面跳转
IXYH100N65A3 PDF预览

IXYH100N65A3

更新时间: 2024-11-19 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 254K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产,具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

IXYH100N65A3 数据手册

 浏览型号IXYH100N65A3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXYH100N65A3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXYH100N65A3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXYH100N65A3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXYH100N65A3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXYH100N65A3的Datasheet PDF文件第7页 
Advance Technical Information  
650V XPTTM IGBT  
GenX3TM  
VCES = 650V  
IC110 = 100A  
VCE(sat)  1.80V  
tfi(typ) = 86ns  
IXYH100N65A3  
Low-Vsat IGBT  
for up to 5kHz Switching  
TO-247  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
C
Tab  
=
E
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C (Chip Capability)  
TC = 110°C  
240  
100  
A
A
G = Gate  
E = Emitter  
C
Collector  
Tab = Collector  
TC = 25°C, 1ms  
480  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
A
830  
mJ  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2  
Clamped Inductive Load  
ICM = 200  
A
μs  
W
(RBSOA)  
@VCE VCES  
Features  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
8
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
Optimized for up to 5kHz Switching  
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
High Current Handling Capability  
PC  
TC = 25°C  
470  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
TTL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in  
g
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Weight  
Applications  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Low Frequency Power Inverters  
AC Switches  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
3.5  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.0  
25 A  
TJ = 125C  
TJ = 150C  
500 A  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 70A, VGE = 15V, Note 1  
1.50  
1.65  
1.80  
V
V
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100803(02/17)  

与IXYH100N65A3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYH100N65B3 LITTELFUSE

获取价格

该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH100N65C3 LITTELFUSE

获取价格

该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH10N170C LITTELFUSE

获取价格

这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、
IXYH10N170CV1 LITTELFUSE

获取价格

这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、
IXYH120N65B3 LITTELFUSE

获取价格

该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH120N65C3 LITTELFUSE

获取价格

该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH12N250CHV LITTELFUSE

获取价格

这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、
IXYH12N250CV1HV LITTELFUSE

获取价格

这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、
IXYH16N170C LITTELFUSE

获取价格

这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、
IXYH16N170CV1 LITTELFUSE

获取价格

这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、