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IXYH100N65A3

更新时间: 2024-11-06 14:56:51
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力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
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7页 254K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产,具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

IXYH100N65A3 数据手册

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Advance Technical Information  
650V XPTTM IGBT  
GenX3TM  
VCES = 650V  
IC110 = 100A  
VCE(sat)  1.80V  
tfi(typ) = 86ns  
IXYH100N65A3  
Low-Vsat IGBT  
for up to 5kHz Switching  
TO-247  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
C
Tab  
=
E
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C (Chip Capability)  
TC = 110°C  
240  
100  
A
A
G = Gate  
E = Emitter  
C
Collector  
Tab = Collector  
TC = 25°C, 1ms  
480  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
A
830  
mJ  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2  
Clamped Inductive Load  
ICM = 200  
A
μs  
W
(RBSOA)  
@VCE VCES  
Features  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
8
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
Optimized for up to 5kHz Switching  
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
High Current Handling Capability  
PC  
TC = 25°C  
470  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
TTL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in  
g
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Weight  
Applications  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Low Frequency Power Inverters  
AC Switches  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
3.5  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.0  
25 A  
TJ = 125C  
TJ = 150C  
500 A  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 70A, VGE = 15V, Note 1  
1.50  
1.65  
1.80  
V
V
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100803(02/17)  

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