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IXYF30N450

更新时间： 2024-02-26 08:12:26

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IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
4页	188K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXYF30N450 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
Base Number Matches：	1

IXYF30N450 数据手册

IXYF30N450

Fig. 1. Output Characteristics @ T_J= 25ºC

Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T_J= 25ºC

280

240

200

160

120

= 25V

19V

15V

13V

11V

23V

21V

19V

17V

15V

13V

11V

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

V_CE- Volts

Fig. 4. Dependence of V_CE(sat)on

Junction Temperature

Fig. 3. Output Characteristics @ T_J= 125ºC

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

= 25V

19V

15V

13V

11V

= 15V

= 60A

= 30A

= 15A

-50

-25

100

125

150

V_CE- Volts

T_J- Degrees Centigrade

Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage

vs. Gate-to-Emitter Voltage

Fig. 6. Input Admittance

= 25ºC

= - 40ºC

25ºC

125ºC

= 60A

30A

15A

3.5

4.5

5.5

6.5

7.5

8.5

9.5

V_GE- Volts

1 234

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