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IXYH10N170CV1

更新时间： 2024-11-06 14:56:11

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
8页	244K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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IXYH10N170CV1 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage

XPT^TMIGBT

w/ Diode

V_CES= 1700V

I_C110= 10A

V_CE(sat) 4.1V

t_fi(typ)= 70ns

IXYH10N170CV1

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1700

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 25°C

G = Gate

E = Emitter

Collector

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

Tab = Collector

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 10

Clamped Inductive Load

I_CM= 40

1360

P_C

T_C= 25°C

280

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



-55 ... +175

High Voltage Package



High Blocking Voltage

Low Saturation Voltage

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

Advantages



Low Gate Drive Requirement

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1700

3.0

Typ.

Max.



Switch-Mode and Resonant-Mode

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Laser Generators

Capacitor Discharge Circuits

5.0



25 A

100 nA



T_J= 150C



AC Switches

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

V_CE(sat)

I_C= 10A, V_GE= 15V, Note 1

3.6

4.9

4.1

DS100784A(5/17)

12 3 4 5 6 7 8

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IXYH20N120C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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