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IXYB82N120C3H1

更新时间： 2024-01-05 10:50:32

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	215K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, PLUS264, 3 PIN

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IXYB82N120C3H1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.41	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	160 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1040 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	295 ns
标称接通时间 (ton)：	119 ns	Base Number Matches：	1

IXYB82N120C3H1 数据手册

IXYB82N120C3H1

Fig. 19. Inductive Turn-on Switching Times vs.

Fig. 18. Inductive Turn-on Switching Times vs.

Gate Resistance

Collector Current

140

120

100

160

140

120

100

t_{r i}

t_d(on)

- - - -

t _{r i}

t_d(on)- - - -

R_G= 2

V_GE= 15V

Ω

T_J= 125ºC, V_GE= 15V

V_CE= 600V

T_J= 125ºC

I _C= 80A

T_J= 25ºC

I _C= 40A

100

I_C- Amperes

R_G- Ohms

Fig. 20. Inductive Turn-on Switching Times vs.

Junction Temperature

140

120

100

t_{r i}

t_d(on)- - - -

R_G= 2

, V_GE= 15V

Ω

V_CE= 600V

I _C= 80A

I _C= 40A

100

125

T_J- Degrees Centigrade

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS REF: IXY_82N120C3(8M)12-13-12-A

1...3 4 567

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