Datasheet > V20D103C

V20D103C

更新时间： 2024-11-18 17:15:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	127K
描述
Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.48 V at IF = 5.0 A

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

V20D103C 数据手册

V20D103C

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Dual High-Voltage TMBS^®(Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

Ultra Low V_F= 0.48 V at I_F= 5.0 A

FEATURES

eSMP^®Series

SMPD (TO-263AC)

Available

• Trench MOS Schottky technology

• Very low profile - typical height of 1.7 mm

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

Top View

Bottom View

• AEC-Q101 qualified available:

- Automotive ordering code: base P/NHM3

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

Anode 1

Anode 2

Cathode

TYPICAL APPLICATIONS

LINKS TO ADDITIONAL RESOURCES

For use in high frequency DC/DC converters, switching

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

reverse battery protection in commercial, industrial, and

automotive application.

3D Models

PRIMARY CHARACTERISTICS

MECHANICAL DATA

Case: SMPD (TO-263AC)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant

I_F(AV)

2 x 10 A

100 V

V_RRM

I_FSM

130 A

Base P/NHM3

AEC-Q101 qualified

- halogen-free, RoHS-compliant, and

V_Fat I_F= 10 A (T_J= 125 °C)

T_Jmax.

0.59 V

150 °C

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

Package

SMPD (TO-263AC)

Common cathode

Circuit configuration

M3 and HM3 suffix meet JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: as marked

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V20D103C

100

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

per device

per diode

Maximum average forward rectified current

(fig. 1)

(1)

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

130

(2)

Operating junction temperature range

Storage temperature range

T_J

-40 to +150

-55 to +150

°C

T_STG

Notes

(1)

Mounted on infinite heatsink

The heat generated must be less than the thermal conductivity from junction-to-ambient: dP_D/dT_J< 1/R_θJA

(2)

Revision: 26-May-2023

Document Number: 98476

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与V20D103C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
V20D130	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D130P	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D140	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D140P	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D150	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D150P	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D170C	VISHAY	获取价格	Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier
V20D170C-M3/I	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode,
V20D175	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D175P	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。

与V20D103C相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

V20D103C

V20D103C 数据手册

与V20D103C相关器件

与V20D103C相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

V20D103C

V20D103C 数据手册

与V20D103C相关器件

与V20D103C相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？