5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 4.41 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 160 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1040 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 295 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 119 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXYF16N250CV1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、 |
|
| IXYF30N170CV1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IXYF30N450 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IXYF30N450 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IXYF40N450 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、 |
|
| IXYH100N65A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |
|
| IXYH100N65B3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |
|
| IXYH100N65C3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |
|
| IXYH10N170C | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、 |
|
| IXYH10N170CV1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、 |
|
压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
电感耐压值及其与电感大小的关系
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
