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IXYA8N90C3D1

更新时间： 2024-11-19 14:56:15
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 363K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXYA8N90C3D1 数据手册

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900V XPTTM IGBT  
GenX3TM w/ Diode  
VCES = 900V  
IC110 = 8A  
VCE(sat)  3.0V  
tfi(typ) = 130ns  
IXYA8N90C3D1  
IXYP8N90C3D1  
High-Speed IGBT  
for 20-50 kHz Switching  
TO-263 AA (IXYA)  
G
E
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
900  
900  
V
V
C (Tab)  
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
TO-220AB (IXYP)  
IC25  
IC110  
IF110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
20  
8
12  
A
A
A
G
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
48  
A
C
C (Tab)  
E
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
4
A
15  
mJ  
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 30  
ICM = 16  
A
Tab = Collector  
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE VCES  
PC  
TC = 25°C  
125  
W
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
Optimized for Low Switching Losses  
Square RBSOA  
Positive Thermal Coefficient of  
Vce(sat)  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
Avalanche Rated  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-220)  
Mounting Force (TO-263)  
1.13/10  
10..65 / 2.2..14.6  
Nm/lb.in.  
N/lb.  
International Standard Packages  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Advantages  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
950  
3.5  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.0  
High Frequency Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
60 A  
TJ = 125C  
TJ = 125C  
400 μA  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 8A, VGE = 15V, Note 1  
2.15  
2.60  
3.00  
V
V
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100400C(12/14)  
12345678

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与IXYA8N90C3D1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYB82N120C3H1 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, PLUS264, 3 PIN
IXYB82N120C3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYF16N250CV1 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYF30N170CV1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF30N450 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF30N450 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF40N450 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH100N65A3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH100N65B3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH100N65C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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