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IXYA50N65C3-TRL

更新时间： 2024-11-18 19:26:55
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅
页数 文件大小 规格书
6页 263K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXYA50N65C3-TRL 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
Base Number Matches：1

IXYA50N65C3-TRL 数据手册

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Preliminary Technical Information  
XPTTM 650V IGBT  
GenX3TM  
VCES = 650V  
IC110 = 50A  
VCE(sat)  2.10V  
tfi(typ) = 26ns  
IXYA50N65C3  
IXYP50N65C3  
IXYH50N65C3  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 20-60kHz Switching  
TO-263 (IXYA)  
G
E
C (Tab)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-220 (IXYP)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
C (Tab)  
E
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
132  
50  
250  
A
A
A
TO-247 AD (IXYH)  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
A
400  
mJ  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 5  
Clamped Inductive Load  
ICM = 100  
A
μs  
W
G
C
E
C (Tab)  
(RBSOA)  
VCE VCES  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
8
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
Tab = Collector  
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
PC  
TC = 25°C  
600  
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
Optimized for 20-60kHz Switching  
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
International Standard Packages  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-247 & TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Advantages  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-247  
2.5  
3.0  
6.0  
g
g
g
High Power Density  
Extremely Rugged  
Low Gate Drive Requirement  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
3.5  
Typ.  
Max.  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.0  
15 A  
250 A  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 36A, VGE = 15V, Note 1  
1.73  
2.10  
2.10  
V
V
High Frequency Power Inverters  
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100552C(9/14)  
123456

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与IXYA50N65C3-TRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYA8N250CHV LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYA8N90C3D1 IXYS

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 		900V XPTTM IGBT
IXYA8N90C3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYB82N120C3H1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, PLUS264, 3 PIN
IXYB82N120C3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYF16N250CV1 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYF30N170CV1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF30N450 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF30N450 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF40N450 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、

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