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IXYA8N90C3D1

更新时间： 2022-02-26 13:30:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
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7页	336K
描述
900V XPTTM IGBT

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IXYA8N90C3D1 数据手册

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900V XPT^TMIGBT

GenX3^TMw/ Diode

V_CES= 900V

I_C110= 8A

V_CE(sat) 3.0V

t_fi(typ)= 130ns

IXYA8N90C3D1

IXYP8N90C3D1

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

TO-263 AA (IXYA)

G

E

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

900

900

V

V

C (Tab)

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

TO-220AB (IXYP)

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 110°C

20

8

12

A

A

A

G

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

48

A

C

C (Tab)

E

I_A

E_AS

T_C= 25°C

T_C= 25°C

4

A

15

mJ

G = Gate

E = Emitter

C

= Collector

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 30

I_CM= 16

A

Tab = Collector

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

P_C

T_C= 25°C

125

W

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

°C

°C



Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

-55 ... +175





T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

°C







Anti-Parallel Ultra Fast Diode

Avalanche Rated

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-220)

Mounting Force (TO-263)

1.13/10

10..65 / 2.2..14.6

Nm/lb.in.

N/lb.

International Standard Packages

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

g

g

Advantages



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

950

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

V

V



6.0

High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



60 A



T_J= 125C

T_J= 125C

400 μA





I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA





V_CE(sat)

I_C= 8A, V_GE= 15V, Note 1

2.15

2.60

3.00

V

V



© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

DS100400C(12/14)

12 3 4 5 6 7

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与IXYA8N90C3D1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXYB82N120C3H1	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, PLUS264, 3 PIN	获取价格
IXYB82N120C3H1	LITTELFUSE	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT	获取价格
IXYF16N250CV1	LITTELFUSE	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、	获取价格
IXYF30N170CV1	LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格
IXYF30N450	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格
IXYF30N450	LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格

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