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IXYA8N90C3D1

更新时间： 2022-02-26 13:30:47

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IXYS		双极性晶体管
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7页	336K
描述
900V XPTTM IGBT

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IXYA8N90C3D1 数据手册

IXYA8N90C3D1

IXYP8N90C3D1

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

TO-263 Outline

Min.

Typ.

Max.

g_fs

I_C= 8A, V_CE= 10V, Note 1

2.9

4.8

C_ies

C_oes

C_res

400

V_CE= 25V, V_GE= 0V, f = 1MHz

7.8

Q_g(on)

Q_ge

Q_gc

13.3

3.4

1. Gate

I_C= 8A, V_GE= 15V, V_CE= 0.5 • V_CES

2. Collector

3. Emitter

4. Collector

Bottom Side

5.8

t_d(on)

t_ri

E_on

t_d(off)

t_fi

Inductive load, T_J= 25°C

I_C= 8A, V_GE= 15V

0.46

Dim.

Millimeter

Min. Max.

Inches

Min. Max.

V_CE= 0.5 • V_CES, R_G= 30

4.06

0.51

1.14

4.83

0.99

1.40

.160

.020

.045

.190

.039

.055

130

0.18

Note 2

E_of

0.50 mJ

0.40

1.14

0.74

1.40

.016

.045

.029

.055

t_d(on)

t_ri

E_on

t_d(off)

t_fi

8.64

8.00

9.65

8.89

.340

.280

.380

.320

Inductive load, T_J= 125°C

9.65

10.41

.380

.405

I_C= 8A, V_GE= 15V

1.00

6.22

2.54

14.61

2.29

1.02

1.27

8.13

BSC

15.88

2.79

1.40

1.78

0.13

.270

.100 BSC

.320

V_CE= 0.5 • V_CES, R_G= 30

.575

.090

.040

.050

.625

.110

.055

.070

.005

163

0.22

Note 2

E_off

R_thJC

R_thCS

1.2 °C/W

°C/W

TO-220

0.50

TO-220 Outline

Reverse Diode (FRED)

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Characteristic Value

Symbol

Test Conditions

Min. Typ.

Max.

V_F

3.0

2.0

I_F= 10A,V_GE= 0V, Note 1

T_J= 150°C

I_RM

t_rr

7.5

I_F= 10A,V_GE= 0V, -di_F/dt = 200A/μs, T_J= 100°C

V_R= 600V

T_J= 100°C

114

R_thJC

2.5 °C/W

Pins: 1 - Gate

2 - Collector

3 - Emitter

Notes:

1. Pulse test, t  300μs, duty cycle, d  2%.

2. Switching times & energy losses may increase for higher V_CE(clamp), T_Jor R_G.

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered

by one or more of the following U.S. patents: 4,860,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

4,835,592 4,931,844

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1 6,683,344

6,534,343

6,583,505

6,727,585

6,710,405 B2 6,759,692

6,710,463

7,005,734 B2 7,157,338B2

7,063,975 B2

6,771,478 B2 7,071,537

123 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYB82N120C3H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, PLUS264, 3 PIN
IXYB82N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYF16N250CV1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYF30N170CV1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF30N450	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF30N450	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF40N450	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH100N65A3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH100N65B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH100N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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