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IXYA8N90C3D1

更新时间： 2022-02-26 13:30:47

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IXYA8N90C3D1 数据手册

IXYA8N90C3D1

IXYP8N90C3D1

Fig. 21. Forward current I_Fvs V_F

Fig. 22.

Fig. 23.

Fig. 25.

Fig. 24.

Fig. 26.

Fig. 27. Transient thermal resistance junction to case

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYB82N120C3H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, PLUS264, 3 PIN
IXYB82N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYF16N250CV1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYF30N170CV1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF30N450	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF30N450	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYF40N450	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH100N65A3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH100N65B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH100N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT