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IXXX200N60C3

更新时间： 2024-11-06 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	238K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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XPT^TM600V IGBTs

GenX3^TM

IXXK200N60C3

IXXX200N60C3

V_CES= 600V

I_C110= 200A

V_CE(sat) 2.1V

t_fi(typ)= 80ns

Extreme Light Punch Through

IGBT for 20-60kHz Switching

TO-264 (IXXK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

G

C

E

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

600

600

V

V

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

Tab

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

PLUS247 (IXXX)

I_C25

I_LRMS

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

Terminal Current Limit

T_C= 110°C

340

160

200

A

A

A

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

900

A

G

G

I_A

E_AS

T_C= 25°C

T_C= 25°C

100

1

A

J

C

Tab

E

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 1

Clamped Inductive Load

I_CM= 400

A

μs

W

G = Gate

C = Collector

E

= Emitter

(RBSOA)

@V_CE V_CES

Tab = Collector

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

10

(SCSOA)

R_G= 10, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

1630

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

°C

°C



International Standard Packages

Optimized for 20-60kHz Switching

Square RBSOA

Avalanche Rated

Short Circuit Capability











-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

°C

High Current Handling Capability

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb

20..120 /4.5..27

Advantages

Weight

TO-264

PLUS247

10

6

g

g



High Power Density



Low Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

V

V



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines



6.0



50 A

mA

200 nA



T_J= 150C

3





I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V



V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 150C

1.60

1.93

2.10

V

V



Lamp Ballasts

© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

DS100373B(11/13)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXXX300N60B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXX300N60C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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