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力特 - LITTELFUSE | 双极性晶体管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 2335K | |
描述 | ||
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。 此外,它们在短路条件下表现出绝佳的强度——10μs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXYA20N65B3 | IXYS |
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Advance Technical Information | |
IXYA20N65B3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYA20N65C3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYA20N65C3D1 | IXYS |
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XPTTM 650V IGBT | |
IXYA20N65C3D1 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYA24N100A4HV | LITTELFUSE |
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通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程,这些高达 | |
IXYA24N100C4HV | LITTELFUSE |
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通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程,这些高达 | |
IXYA30N120A4HV | LITTELFUSE |
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通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程,这些高达 | |
IXYA50N65C3 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXYA50N65C3-TRL | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |