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IXXQ30N60B3M

更新时间： 2024-11-22 14:56:11

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	267K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXXQ30N60B3M 数据手册

Preliminary Technical Information

XPT^TM600V IGBT

GenX3^TM

V_CES= 600V

I_C110= 19A

V_CE(sat) 1.85V

t_fi(typ)= 125ns

IXXQ30N60B3M

(Electrically Isolated Tab)

Extreme Light Punch Through

IGBT for 5-30 kHz Switching

OVERMOLDED

(IXXQ...M) OUTLINE

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

600

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

Isolated Tab

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

140

I_A

E_AS

T_C= 25°C

250

G = Gate

C = Collector

E = Emitter

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 10

Clamped Inductive Load

I_CM= 48

μs

(RBSOA)

@V_CE V_CES

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

Features

(SCSOA)

R_G= 82, Non Repetitive

^Plastic Overmolded Tab for Electrical

Isolation

^Optimized for 5-30kHz Switching

^Square RBSOA

^Avalanche Capability

^Short Circuit Capability

^2500V~ Electrical Isolation

P_C

T_C= 25°C

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

V_ISOL

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Torque

2500

Advantages

M_d

1.13 / 10

Nm/lb.in

^High Power Density

^175°C Rated

Weight

^Extremely Rugged

^Low Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^Power Inverters

^UPS

^Motor Drives

^SMPS

^PFC Circuits

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

5.5

25 A

250 A

T_J= 150C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 24A, V_GE= 15V, Note 1

1.66

1.97

1.85

DS100591A(11/18)

12 3 4 5 6 7

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与IXXQ30N60B3M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXR100N60B3H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS24
IXXR100N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXR110N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXX100N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXX100N60C3H1	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching
IXXX100N60C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXX100N75B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的第4代（GenX4?）Trench IG
IXXX110N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXX140N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXX160N65C4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热

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