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IXXN100N60B3H1

更新时间： 2024-11-22 14:56:55
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 237K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXXN100N60B3H1 数据手册

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XPTTM 600V IGBT  
GenX3TM w/ Diode  
VCES = 600V  
IC90 = 100A  
IXXN100N60B3H1  
VCE(sat) ≤ 1.80V  
tfi(typ) = 150ns  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 10-30kHz Switching  
E
SOT-227B, miniBLOC  
E153432  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
E c  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
V
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
IC90  
IF110  
TC = 25°C (Chip Calability)  
TC = 90°C  
TC = 110°C  
170  
100  
50  
A
A
A
E c  
C
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
440  
A
G = Gate, C = Collector, E = Emitter  
c
either emitter terminal can be used as  
Main or Kelvin Emitter  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
A
600  
mJ  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 200  
A
μs  
W
(RBSOA)  
@VCE ≤ VCES  
Features  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
z
Optimized for Low Switching Losses  
(SCSOA)  
RG = 10Ω, Non Repetitive  
z International Standard Package  
PC  
TC = 25°C  
500  
z
Square RBSOA  
Isolation Voltage 2500V~  
Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
Optimized for 10-30kHz Switching  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
High Current Handling Capability  
z
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
z
z
-55 ... +150  
z
VISOL  
50/60Hz  
IISOL ≤ 1mA  
t = 1min  
t = 1s  
2500  
3000  
V~  
V~  
z
z
Md  
Mounting Torque  
Terminal Connection Torque  
1.5/13  
1.3/11.5  
Nm/lb.in.  
Nm/lb.in.  
Advantages  
Weight  
30  
g
z
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
z
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
z
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
z
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
z
5.5  
z
z
z
z
z
50 μA  
4 mA  
TJ = 125°C  
TJ = 150°C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 70A, VGE = 15V, Note 1  
1.50  
1.77  
1.80  
V
V
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100421B(04/13)  
12345678

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与IXXN100N60B3H1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXN110N65B4H1 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES,
IXXN110N65B4H1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXN110N65C4H1 LITTELFUSE

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IXXN200N60B3 LITTELFUSE

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