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IXXN340N65B4

更新时间： 2024-11-18 19:59:23
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅
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7页 243K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXXN340N65B4 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.29
Base Number Matches：1

IXXN340N65B4 数据手册

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Preliminary Technical Information  
XPTTM 650V IGBT  
GenX4TM  
IXXN340N65B4  
VCES = 650V  
IC90 = 340A  
VCE(sat)  1.7V  
tfi(typ) = 80ns  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 10-30kHz Switching  
E
SOT-227B, miniBLOC  
E153432  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
E  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
G
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
ILRMS  
IC90  
TC = 25°C (Chip Capability )  
Leads Current Limit  
TC = 90°C  
520  
200  
340  
A
A
A
E   
C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
1200  
A
either emitter terminal can be used as  
Main or Kelvin Emitter  
SSOA  
VGEC= 15V, TVJ = 150°C, RG = 1  
ICM = 400  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE VCES  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
μs  
(SCSOA)  
RG = 10, Non Repetitive  
Features  
PC  
TC = 25°C  
1500  
W
Optimized for Low Conduction and  
Switching Losses  
miniBLOC, with Aluminium Nitride  
Isolation  
International Standard Package  
Isolation Voltage 2500V~  
Optimized for 10-30kHz Switching  
Square RBSOA  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
VISOL  
50/60Hz  
IISOL 1mA  
t = 1min  
t = 1s  
2500  
3000  
V~  
V~  
Md  
Mounting Torque  
Terminal Connection Torque  
1.5/13  
1.3/11.5  
Nm/lb.in.  
Nm/lb.in.  
Short Circuit Capability  
High Current Handling Capability  
Weight  
30  
g
Advantages  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
4.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 4mA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
6.5  
25 A  
mA  
200 nA  
TJ = 150C  
2
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
VCE(sat)  
IC = 160A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 150C  
1.4  
1.4  
1.7  
V
V
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100887B(11/18)  
1234567

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与IXXN340N65B4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXP12N65B4 LITTELFUSE

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