5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXXN200N60B3
IXXN200N60B3 PDF预览

IXXN200N60B3

更新时间： 2024-11-21 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 205K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXXN200N60B3 数据手册

 浏览型号IXXN200N60B3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXXN200N60B3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXXN200N60B3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXXN200N60B3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXXN200N60B3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXXN200N60B3的Datasheet PDF文件第7页 
Preliminary Technical Information  
XPTTM 600V IGBT  
GenX3TM  
IXXN200N60B3  
VCES = 600V  
IC110 = 160A  
VCE(sat) ≤ 1.7V  
tfi(typ) = 110ns  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 10-30kHz Switching  
E
SOT-227B, miniBLOC  
E153432  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
E c  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
600  
600  
V
V
G
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
ILRMS  
IC110  
TC = 25°C (Chip Capability )  
Leads Current Limit  
TC = 110°C  
280  
200  
160  
A
A
A
E c  
C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
1000  
A
c
either emitter terminal can be used as  
Main or Kelvin Emitter  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
100  
1
A
J
SSOA  
V
GEC= 15V, TVJ = 150°C, RG = 1Ω  
ICM = 400  
A
μs  
W
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE ≤ VCES  
Features  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
z
Optimized for Low Conduction and  
(SCSOA)  
RG = 10Ω, Non Repetitive  
Switching Losses  
miniBLOC, with Aluminium Nitride  
z
PC  
TC = 25°C  
940  
Isolation  
International Standard Package  
Isolation Voltage 2500V~  
Optimized for 10-30kHz Switching  
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
High Current Handling Capability  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
z
z
z
-55 ... +175  
z
VISOL  
50/60Hz  
IISOL ≤ 1mA  
t = 1min  
t = 1s  
2500  
3000  
V~  
V~  
z
z
z
Md  
Mounting Torque  
Terminal Connection Torque  
1.5/13  
1.3/11.5  
Nm/lb.in.  
Nm/lb.in.  
Weight  
30  
g
Advantages  
z
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.5  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
z
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
6.0  
z
z
50 μA  
mA  
±200 nA  
z
TJ = 150°C  
3
z
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
z
z
VCE(sat)  
IC = 100A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 150°C  
1.40  
1.58  
1.70  
V
V
z
Lamp Ballasts  
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100453A(02/13)  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IXXN200N60B3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXN200N60B3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N60C3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N65A4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的第4代（GenX4?）Trench IG
IXXN340N65B4 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXP12N65B4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXP12N65B4D1 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXP50N60B3 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXP50N60B3 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB
IXXQ30N60B3M LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXR100N60B3H1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS24

与IXXN200N60B3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证