Datasheet > IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1

更新时间： 2024-11-21 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
7页	224K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXXN110N65B4H1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.42	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	240 A	集电极-发射极最大电压：	650 V
门极-发射极最大电压：	20 V	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大功率耗散 (Abs)：	880 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	VCEsat-Max：	2.1 V
Base Number Matches：	1

IXXN110N65B4H1 数据手册

XPT^TM650V GenX4^TMIXXN110N65B4H1

w/ Sonic Diode

V_CES= 650V

I_C110= 110A

V_CE(sat) 2.10V

t_fi(typ)= 43ns

Extreme Light Punch Through

IGBT for 10-30kHz Switching

SOT-227B, miniBLOC

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

E 

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

E 

I_C25

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 25°C (Chip Capability)

Terminal Current Limit

T_C= 110°C

230

200

110

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

T_C= 110°C



either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

T_C= 25°C, 1ms

650

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

Clamped Inductive Load

I_CM= 220

Features

(RBSOA)

@V_CE V_CES



t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

μs

International Standard Package

miniBLOC, with Aluminium Nitride



(SCSOA)

R_G= 82, Non Repetitive

Isolation

2500V~ Isolation Voltage

Anti-Parallel Sonic Diode

Optimized for 10-30kHz Switching

Square RBSOA

Short Circuit Capability

High Current Handling Capability

P_C

T_C= 25°C

750



T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



-55 ... +175



V_ISOL

50/60Hz

I_ISOL1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000



M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Advantages

Weight



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Applications



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

4.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.5



50 A

3 mA



T_J= 150C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 110A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 150C

1.72

2.05

2.10

DS100505C(8/16)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXXN110N65B4H1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXN110N65C4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXN200N60B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N60C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N65A4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的第4代（GenX4?）Trench IG
IXXN340N65B4	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXP12N65B4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXP12N65B4D1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXP50N60B3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXP50N60B3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB

与IXXN110N65B4H1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

28
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

21
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

50
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

48

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1 技术参数

IXXN110N65B4H1 数据手册

与IXXN110N65B4H1相关器件

与IXXN110N65B4H1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1 技术参数

IXXN110N65B4H1 数据手册

与IXXN110N65B4H1相关器件

与IXXN110N65B4H1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？