型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXXN200N60C3H1 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXXN200N65A4 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的第4代(GenX4?)Trench IG | |
IXXN340N65B4 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXXP12N65B4 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热 | |
IXXP12N65B4D1 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热 | |
IXXP50N60B3 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXXP50N60B3 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB | |
IXXQ30N60B3M | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXXR100N60B3H1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS24 | |
IXXR100N60B3H1 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |