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IXXN110N65C4H1

更新时间： 2024-11-22 14:56:03
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 248K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。 此外，它们在短路条件下表现出绝佳的强度——10μs

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IXXN110N65C4H1 数据手册

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XPTTM 650V GenX4TM IXXN110N65C4H1  
w/ Sonic Diode  
VCES = 650V  
IC110 = 110A  
VCE(sat)  2.35V  
tfi(typ) = 35ns  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 20-60kHz Switching  
E
SOT-227B, miniBLOC  
E153432  
E  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
E   
C
IC25  
IC25  
IC110  
IF110  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Terminal Current Limit  
TC = 110°C  
210  
200  
110  
70  
A
A
A
A
G = Gate, C = Collector, E = Emitter  
either emitter terminal can be used as  
Main or Kelvin Emitter  
TC = 110°C  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
670  
A
Features  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2  
ICM = 220  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE VCES  
International Standard Package  
miniBLOC, with Aluminium Nitride  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
μs  
Isolation  
2500V~ Isolation Voltage  
Anti-Parallel Sonic Diode  
Optimized for 20-60kHz Switching  
Square RBSOA  
Short Circuit Capability  
High Current Handling Capability  
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
PC  
TC = 25°C  
750  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
VISOL  
50/60Hz  
IISOL 1mA  
t = 1min  
t = 1s  
2500  
3000  
V~  
V~  
Advantages  
Md  
Mounting Torque  
Terminal Connection Torque  
1.5/13  
1.3/11.5  
Nm/lb.in  
Nm/lb.in  
High Power Density  
Weight  
30  
g
Low Gate Drive Requirement  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
4.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 4mA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.5  
50 A  
3 mA  
TJ = 150C  
High Frequency Power Inverters  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 110A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 150C  
2.06  
2.50  
2.35  
V
V
© 2016 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100506D(9/16)  
12345678

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