5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXXK100N60C3H1
IXXK100N60C3H1 PDF预览

IXXK100N60C3H1

更新时间： 2024-11-18 12:25:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 248K
描述
XPTTM 600V GenX3TM w/ Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXXK100N60C3H1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-264AA包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：4.36其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：170 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：5.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：695 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：220 ns
标称接通时间 (ton)：95 nsBase Number Matches：1

IXXK100N60C3H1 数据手册

 浏览型号IXXK100N60C3H1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXXK100N60C3H1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXXK100N60C3H1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXXK100N60C3H1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXXK100N60C3H1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXXK100N60C3H1的Datasheet PDF文件第7页 
Preliminary Technical Information  
XPTTM 600V  
IXXK100N60C3H1  
IXXX100N60C3H1  
VCES = 600V  
IC90 = 100A  
VCE(sat) ≤ 2.20V  
tfi(typ) = 75ns  
GenX3TM w/ Diode  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 20-60kHz Switching  
TO-264 (IXXK)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
C
E
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
Tab  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
PLUS247 (IXXX)  
IC25  
ILRMS  
IC90  
TC= 25°C ( Chip Capability )  
Terminal Current Limit  
TC = 90°C  
170  
120  
100  
65  
A
A
A
A
IF110  
TC = 110°C  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
340  
A
G
C
Tab  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
A
E
600  
mJ  
G = Gate  
C = Collector  
E
= Emitter  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 200  
A
μs  
W
Tab = Collector  
(RBSOA)  
@VCE ≤ VCES  
tsc  
VGE= 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
(SCSOA)  
RG = 10Ω, Non Repetitive  
Features  
PC  
TC = 25°C  
695  
z Optimized for 20-60kHz Switching  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
z
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
z
z
-55 ... +150  
z
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z
High Current Handling Capability  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
N/lb.  
20..120 /4.5..27  
Advantages  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
z
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
z
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
z
5.5  
z
z
50 μA  
4 mA  
z
TJ = 125°C  
TJ = 150°C  
z
z
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
z
Lamp Ballasts  
VCE(sat)  
IC = 70A, VGE = 15V, Note 1  
1.68  
1.97  
2.20  
V
V
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100283A(01/11)  
1234567

中文翻译

下载PDF

IXXK100N60C3H1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXSK40N60CD1 IXYS

类似代替

 IGBT with Diode

与IXXK100N60C3H1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXK100N75B4H1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXK110N65B4H1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IXXK110N65B4H1 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK160N65B4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK160N65C4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK200N60B3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK200N60C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK200N65B4 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 370A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IXXK200N65B4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK300N60B3 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 550A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264,

与IXXK100N60C3H1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证