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力特 - LITTELFUSE | ![]() |
双极性晶体管 |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 1489K | ![]() |
描述 | ||
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。 此外,它们在短路条件下表现出绝佳的强度——10μs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXXK160N65C4 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热 |
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IXXK200N60B3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |
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IXXK200N60C3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |
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IXXK200N65B4 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 370A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, |
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IXXK200N65B4 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热 |
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IXXK300N60B3 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 550A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, |
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IXXK300N60B3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |
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IXXK300N60C3 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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IXXKX100N60C3H1 | IXYS |
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Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching |
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IXXN100N60B3H1 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |
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