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IXXK200N60C3

更新时间： 2024-11-06 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 238K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXXK200N60C3 数据手册

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XPTTM 600V IGBTs  
GenX3TM  
IXXK200N60C3  
IXXX200N60C3  
VCES = 600V  
IC110 = 200A  
VCE(sat)  2.1V  
tfi(typ) = 80ns  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 20-60kHz Switching  
TO-264 (IXXK)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
C
E
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
Tab  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
PLUS247 (IXXX)  
IC25  
ILRMS  
IC110  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Terminal Current Limit  
TC = 110°C  
340  
160  
200  
A
A
A
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
900  
A
G
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
100  
1
A
J
C
Tab  
E
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 1  
Clamped Inductive Load  
ICM = 400  
A
μs  
W
G = Gate  
C = Collector  
E
= Emitter  
(RBSOA)  
@VCE VCES  
Tab = Collector  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
(SCSOA)  
RG = 10, Non Repetitive  
PC  
TC = 25°C  
1630  
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
International Standard Packages  
Optimized for 20-60kHz Switching  
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
High Current Handling Capability  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in  
N/lb  
20..120 /4.5..27  
Advantages  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.5  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
6.0  
50 A  
mA  
200 nA  
TJ = 150C  
3
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
VCE(sat)  
IC = 100A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 150C  
1.60  
1.93  
2.10  
V
V
Lamp Ballasts  
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100373B(11/13)  
1234567

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与IXXK200N60C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXK200N65B4 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 370A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IXXK200N65B4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK300N60B3 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 550A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264,
IXXK300N60B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK300N60C3 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXKX100N60C3H1 IXYS

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