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IXXK100N75B4H1

更新时间： 2024-02-17 05:38:15
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅
页数 文件大小 规格书
8页 293K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXXK100N75B4H1 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.29
Base Number Matches：1

IXXK100N75B4H1 数据手册

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Advance Technical Information  
XPTTM 750V IGBT  
GenX4TM w/Diode  
IXXX100N75B4H1  
IXXK100N75B4H1  
VCES = 750V  
IC110 = 100A  
VCE(sat)  2.10V  
tfi(typ) = 110ns  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 10-30kHz Switching  
PLUS247  
(IXXX)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
750  
750  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
G
C
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
Tab  
E
TO-264  
(IXXK)  
IC25  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Terminal Current Limit  
TC = 110°C  
240  
160  
100  
120  
A
A
A
A
ILRMS  
IC110  
IF110  
TC = 110°C  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
580  
A
G
C
SSOA  
(RBSOA)  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2  
Clamped Inductive Load  
I
= 200  
A
VCCEM VCES  
Tab  
E
TSC  
VGE = 15V, TJ = 150°C,  
(SCSOA)  
RG = 20, VCE = 400V, Non-Repetitive  
10  
μs  
G = Gate  
C
= Collector  
E = Emitter  
Tab = Collector  
PC  
TC = 25°C  
880  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
Features  
-55 ... +175  
Optimized for 10-30kHz Switching  
Square RBSOA  
High Current Handling Capability  
International Standard Packages  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in  
N/lb  
20..120 /4.5..27  
Weight  
PLUS247  
TO-264  
6
10  
g
g
Advantages  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
750  
4.0  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
6.5  
25 μA  
mA  
±100 nA  
TJ = 125°C  
5
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
VCE(sat)  
IC = 100A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 150°C  
1.74  
2.07  
2.10  
V
V
High Frequency Power Inverters  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100945A(10/18)  
12345678

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与IXXK100N75B4H1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXK110N65B4H1 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IXXK110N65B4H1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK160N65B4 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK160N65C4 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK200N60B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK200N60C3 LITTELFUSE

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IXXK300N60B3 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 550A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264,
IXXK300N60B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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