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IXXK300N60B3

更新时间： 2024-02-04 19:37:05

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	222K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 550A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, 3 PIN

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IXXK300N60B3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	TO-264, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	550 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2300 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	430 ns
标称接通时间 (ton)：	137 ns	Base Number Matches：	1

IXXK300N60B3 数据手册

Advance Technical Information

XPT^TM600V IGBTs

GenX3^TM

IXXK300N60B3

IXXX300N60B3

V_CES= 600V

I_C110= 300A

V_CE(sat)≤ 1.6V

t_fi(typ)= 95ns

Extreme Light Punch Through

IGBT for 10-30kHz Switching

TO-264 (IXXK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

600

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1MΩ

Tab

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

PLUS247 (IXXX)

I_C25

I_LRMS

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

Leads Current Limit

T_C= 110°C (Chip Capability)

550

160

300

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

1140

I_A

E_AS

T_C= 25°C

100

500

Tab

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 1Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 600

μs

G = Gate

C = Collector

= Emitter

(RBSOA)

@V_CE≤ V_CES

Tab = Collector

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

(SCSOA)

R_G= 10Ω, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

2300

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

Optimized for 10-30kHz Switching

Square RBSOA

International Standard Packages

Avalanche Rated

Short Circuit Capability

High Current Handling Capability

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

Advantages

Weight

TO-264

PLUS247

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

5.5

25 μA

2.5 mA

T_J= 150°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±200 nA

Lamp Ballasts

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 150°C

1.3

1.4

1.6

DS100503(10/12)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXK300N60C3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXKX100N60C3H1	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching
IXXN100N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN110N65B4H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES,
IXXN110N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXN110N65C4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXN200N60B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N60C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N65A4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的第4代（GenX4?）Trench IG

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