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IXXK300N60C3

更新时间： 2024-11-18 21:15:15
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅
页数 文件大小 规格书
7页 225K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXXK300N60C3 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
Base Number Matches：1

IXXK300N60C3 数据手册

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Advance Technical Information  
XPTTM 600V IGBTs  
GenX3TM  
IXXK300N60C3  
IXXX300N60C3  
VCES = 600V  
IC110 = 300A  
VCE(sat) ≤ 2.0V  
tfi(typ) = 82ns  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 20-60kHz Switching  
TO-264 (IXXK)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
C
E
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ  
Tab  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
PLUS247 (IXXX)  
IC25  
ILRMS  
IC110  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Terminal Current Limit  
TC = 110°C (Chip Capability)  
510  
160  
300  
A
A
A
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
1075  
A
G
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
100  
500  
A
C
Tab  
E
mJ  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 1Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 600  
A
μs  
W
G = Gate  
C = Collector  
E
= Emitter  
(RBSOA)  
@VCE ≤ VCES  
Tab = Collector  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
(SCSOA)  
RG = 10Ω, Non Repetitive  
PC  
TC = 25°C  
2300  
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
z
Optimized for 20-60kHz Switching  
Square RBSOA  
International Standard Packages  
Avalanche Rated  
z
z
z
z
z
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Short Circuit Capability  
High Current Handling Capability  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
N/lb.  
20..120 /4.5..27  
Advantages  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
z
High Power Density  
z
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
z
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
z
5.5  
z
25 μA  
mA  
±200 nA  
z
TJ = 150°C  
2
z
z
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
z
VCE(sat)  
IC = 100A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 150°C  
1.5  
1.7  
2.0  
V
V
z
Lamp Ballasts  
© 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100504(10/12)  
1234567

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与IXXK300N60C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXKX100N60C3H1 IXYS

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 		Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching
IXXN100N60B3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN110N65B4H1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES,
IXXN110N65B4H1 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXN110N65C4H1 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXN200N60B3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N60B3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N60C3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N65A4 LITTELFUSE

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IXXN340N65B4 LITTELFUSE

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