5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXXK300N60C3
IXXK300N60C3 PDF预览

IXXK300N60C3

更新时间： 2024-09-29 21:15:15
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅
页数 文件大小 规格书
7页 225K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXXK300N60C3 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
Base Number Matches：1

IXXK300N60C3 数据手册

 浏览型号IXXK300N60C3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXXK300N60C3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXXK300N60C3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXXK300N60C3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXXK300N60C3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXXK300N60C3的Datasheet PDF文件第7页 
Advance Technical Information  
XPTTM 600V IGBTs  
GenX3TM  
IXXK300N60C3  
IXXX300N60C3  
VCES = 600V  
IC110 = 300A  
VCE(sat) ≤ 2.0V  
tfi(typ) = 82ns  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 20-60kHz Switching  
TO-264 (IXXK)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
C
E
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ  
Tab  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
PLUS247 (IXXX)  
IC25  
ILRMS  
IC110  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Terminal Current Limit  
TC = 110°C (Chip Capability)  
510  
160  
300  
A
A
A
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
1075  
A
G
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
100  
500  
A
C
Tab  
E
mJ  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 1Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 600  
A
μs  
W
G = Gate  
C = Collector  
E
= Emitter  
(RBSOA)  
@VCE ≤ VCES  
Tab = Collector  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
(SCSOA)  
RG = 10Ω, Non Repetitive  
PC  
TC = 25°C  
2300  
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
z
Optimized for 20-60kHz Switching  
Square RBSOA  
International Standard Packages  
Avalanche Rated  
z
z
z
z
z
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Short Circuit Capability  
High Current Handling Capability  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
N/lb.  
20..120 /4.5..27  
Advantages  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
z
High Power Density  
z
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
z
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
z
5.5  
z
25 μA  
mA  
±200 nA  
z
TJ = 150°C  
2
z
z
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
z
VCE(sat)  
IC = 100A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 150°C  
1.5  
1.7  
2.0  
V
V
z
Lamp Ballasts  
© 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100504(10/12)  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IXXK300N60C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXKX100N60C3H1 IXYS

获取价格

 		Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching
IXXN100N60B3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN110N65B4H1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES,
IXXN110N65B4H1 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXN110N65C4H1 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXN200N60B3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N60B3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N60C3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N65A4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的第4代（GenX4?）Trench IG
IXXN340N65B4 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,

与IXXK300N60C3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证