Datasheet > IXXK110N65B4H1

IXXK110N65B4H1

更新时间： 2024-11-18 21:08:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
7页	254K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXXK110N65B4H1 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.46	最大集电极电流 (IC)：	240 A
集电极-发射极最大电压：	650 V	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	880 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

IXXK110N65B4H1 数据手册

XPT^TM650V GenX4^TMIXXK110N65B4H1

V_CES= 650V

I_C110= 110A

V_CE(sat) 2.10V

t_fi(typ)= 43ns

w/ Sonic Diode

IXXX110N65B4H1

Extreme Light Punch Through

IGBT for 10-30kHz Switching

TO-264 (IXXK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

Tab

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

PLUS247 (IXXX)

I_C25

T_C= 25°C (Chip Capability)

Terminal Current Limit

T_C= 110°C

250

160

110

I_LRMS

I_C110

I_F110

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

570

Tab

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

I_CM= 220

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

G = Gate

C = Collector

= Emitter

Tab = Collector

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

μs

(SCSOA)

R_G= 82, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

880

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



Optimized for 10-30kHz Switching

Square RBSOA



-55 ... +175

Short Circuit Capability

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



Anti-Parallel Sonic Diode

High Current Handling Capability

International Standard Packages

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages



High Power Density



Low Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

4.0

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.5

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



25 A

100 nA



T_J= 150C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V



V_CE(sat)

I_C= 110A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 150C

1.72

2.05

2.10



High Frequency Power Inverters

DS100502C(8/16 )

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXXK110N65B4H1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXK160N65B4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK160N65C4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK200N60B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK200N60C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK200N65B4	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 370A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IXXK200N65B4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK300N60B3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 550A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264,
IXXK300N60B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK300N60C3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXKX100N60C3H1	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching

与IXXK110N65B4H1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXK110N65B4H1

IXXK110N65B4H1 技术参数

IXXK110N65B4H1 数据手册

与IXXK110N65B4H1相关器件

与IXXK110N65B4H1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXK110N65B4H1

IXXK110N65B4H1 技术参数

IXXK110N65B4H1 数据手册

与IXXK110N65B4H1相关器件

与IXXK110N65B4H1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？