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IXXK110N65B4H1

更新时间： 2024-02-09 18:13:52

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IXYS		栅
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7页	254K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,

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IXXK110N65B4H1 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.46	最大集电极电流 (IC)：	240 A
集电极-发射极最大电压：	650 V	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	880 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

IXXK110N65B4H1 数据手册

XPT^TM650V GenX4^TMIXXK110N65B4H1

V_CES= 650V

I_C110= 110A

V_CE(sat) 2.10V

t_fi(typ)= 43ns

w/ Sonic Diode

IXXX110N65B4H1

Extreme Light Punch Through

IGBT for 10-30kHz Switching

TO-264 (IXXK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

Tab

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

PLUS247 (IXXX)

I_C25

T_C= 25°C (Chip Capability)

Terminal Current Limit

T_C= 110°C

250

160

110

I_LRMS

I_C110

I_F110

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

570

Tab

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

I_CM= 220

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

G = Gate

C = Collector

= Emitter

Tab = Collector

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

μs

(SCSOA)

R_G= 82, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

880

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



Optimized for 10-30kHz Switching

Square RBSOA



-55 ... +175

Short Circuit Capability

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



Anti-Parallel Sonic Diode

High Current Handling Capability

International Standard Packages

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages



High Power Density



Low Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

4.0

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.5

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



25 A

100 nA



T_J= 150C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V



V_CE(sat)

I_C= 110A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 150C

1.72

2.05

2.10



High Frequency Power Inverters

DS100502C(8/16 )

12 3 4 5 6 7

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