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IXXK200N65B4

更新时间： 2024-11-18 14:51:43

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IXYS		栅
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6页	241K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 370A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,

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IXXK200N65B4 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.46	最大集电极电流 (IC)：	370 A
集电极-发射极最大电压：	650 V	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1150 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

IXXK200N65B4 数据手册

Preliminary Technical Information

XPT^TM650V IGBT

GenX4^TM

IXXK200N65B4

IXXX200N65B4

V_CES= 650V

I_C110= 200A

V_CE(sat) 1.7V

t_fi(typ)= 80ns

Extreme Light Punch Through

IGBT for 10-30kHz Switching

TO-264 (IXXK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Tab

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

PLUS247 (IXXX)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_LRMS

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

Lead Current Limit

T_C= 110°C

480

160

200

Tab

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

1100

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 1

I_CM= 400

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

G = Gate

C = Collector

= Emitter

Tab = Collector

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

μs

(SCSOA)

R_G= 10, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

1630

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



Optimized for 10-30kHz Switching

Square RBSOA



-55 ... +175

Short Circuit Capability

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

International Standard Packages

High Current Handling Capability

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb

20..120 /4.5..27

Advantages

Weight

TO-264

PLUS247



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

4.0

Typ.

Max.



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 4mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.5



25 μA

±200 nA



T_J= 150°C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V



V_CE(sat)

I_C= 160A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 150°C

1.4

1.6

1.7

DS100518C(6/14)

12 3 4 5 6

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与IXXK200N65B4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXK300N60B3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 550A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264,
IXXK300N60B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK300N60C3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXKX100N60C3H1	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching
IXXN100N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN110N65B4H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES,
IXXN110N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXN110N65C4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXN200N60B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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