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IXXK200N65B4

更新时间： 2024-01-29 00:25:37
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅
页数 文件大小 规格书
6页 241K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 370A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,

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IXXK200N65B4 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：8.46最大集电极电流 (IC)：370 A
集电极-发射极最大电压：650 V门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 V最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1150 W
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
Base Number Matches：1

IXXK200N65B4 数据手册

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Preliminary Technical Information  
XPTTM 650V IGBT  
GenX4TM  
IXXK200N65B4  
IXXX200N65B4  
VCES = 650V  
IC110 = 200A  
VCE(sat)  1.7V  
tfi(typ) = 80ns  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 10-30kHz Switching  
TO-264 (IXXK)  
G
C
E
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Tab  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
PLUS247 (IXXX)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
ILRMS  
IC110  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Lead Current Limit  
TC = 110°C  
480  
160  
200  
A
A
A
G
C
Tab  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
1100  
A
E
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 1  
ICM = 400  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE VCES  
G = Gate  
C = Collector  
E
= Emitter  
Tab = Collector  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
μs  
(SCSOA)  
RG = 10, Non Repetitive  
PC  
TC = 25°C  
1630  
W
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
Optimized for 10-30kHz Switching  
Square RBSOA  
-55 ... +175  
Short Circuit Capability  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
International Standard Packages  
High Current Handling Capability  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in  
N/lb  
20..120 /4.5..27  
Advantages  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
4.0  
Typ.  
Max.  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 4mA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.5  
25 μA  
mA  
±200 nA  
TJ = 150°C  
2
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
VCE(sat)  
IC = 160A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 150°C  
1.4  
1.6  
1.7  
V
V
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100518C(6/14)  
123456

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与IXXK200N65B4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXK300N60B3 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 550A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264,
IXXK300N60B3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK300N60C3 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXKX100N60C3H1 IXYS

获取价格

 		Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching
IXXN100N60B3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN110N65B4H1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES,
IXXN110N65B4H1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXN110N65C4H1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXN200N60B3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N60B3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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