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IXXK100N60B3H1

更新时间： 2024-02-27 15:51:14

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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描述
Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching

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IXXK100N60B3H1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
Base Number Matches：	1

IXXK100N60B3H1 数据手册

Advance Technical Information

XPT^TM600V

IXXK100N60B3H1

V_CES= 600V

I_C90= 100A

V_CE(sat)≤ 1.80V

t_fi(typ)= 150ns

GenX3^TMw/ Diode

Extreme Light Punch Through

IGBT for 10-30kHz Switching

TO-264

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_LRMS

I_C90

T_C= 25°C ( Chip Capability )

Terminal Current Limit

T_C= 90°C

190

120

100

G = Gate

= Emitter

C = Collector

Tab = Collector

I_F110

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

370

I_A

E_AS

T_C= 25°C

600

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 200

μs

^zOptimized for 10-30kHz Switching

(RBSOA)

@V_CE≤ V_CES

Square RBSOA

Avalanche Rated

Short Circuit Capability

Anti-Parallel Ultra Fast Diode

High Current Handling Capability

International Standard Package

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

(SCSOA)

R_G= 10Ω, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

695

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

-55 ... +150

Advantages

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

5.5

50 μA

4 mA

T_J= 125°C

T_J= 150°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 70A, V_GE= 15V, Note 1

1.50

1.77

1.80

DS100285(12/10)

12 3 4 5 6 7

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IXXK100N60B3H1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXSK50N60BU1	IXYS	类似代替	IGBT with Diode
IXSK50N60AU1	IXYS	类似代替	IGBT with Diode
IXSK30N60BD1	IXYS	类似代替	High Speed IGBT with Diode

与IXXK100N60B3H1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXK100N60C3H1	IXYS	获取价格	XPTTM 600V GenX3TM w/ Diode
IXXK100N60C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK100N75B4H1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXK110N65B4H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IXXK110N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK160N65B4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK160N65C4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK200N60B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK200N60C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK200N65B4	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 370A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,

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