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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1 PDF预览

IXXK100N60B3H1

更新时间： 2024-11-18 11:08:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
7页 233K
描述
Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching

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IXXK100N60B3H1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-264AA包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：190 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：5.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-264AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：695 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：350 ns标称接通时间 (ton)：92 ns
Base Number Matches：1

IXXK100N60B3H1 数据手册

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Advance Technical Information  
XPTTM 600V  
IXXK100N60B3H1  
VCES = 600V  
IC90 = 100A  
VCE(sat) ≤ 1.80V  
tfi(typ) = 150ns  
GenX3TM w/ Diode  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 10-30kHz Switching  
TO-264  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
G
C
E
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
Tab  
IC25  
ILRMS  
IC90  
TC= 25°C ( Chip Capability )  
Terminal Current Limit  
TC = 90°C  
190  
120  
100  
65  
A
A
A
A
G = Gate  
E
= Emitter  
C = Collector  
Tab = Collector  
IF110  
TC = 110°C  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
370  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
A
600  
mJ  
Features  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 200  
A
μs  
W
z Optimized for 10-30kHz Switching  
(RBSOA)  
@VCE ≤ VCES  
z
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
High Current Handling Capability  
International Standard Package  
tsc  
VGE= 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
z
z
(SCSOA)  
RG = 10Ω, Non Repetitive  
z
PC  
TC = 25°C  
695  
z
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
z
-55 ... +150  
Advantages  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
z
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
10  
Nm/lb.in.  
g
Weight  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
z
z
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
z
5.5  
z
z
50 μA  
4 mA  
z
TJ = 125°C  
TJ = 150°C  
z
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 70A, VGE = 15V, Note 1  
1.50  
1.77  
1.80  
V
V
© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100285(12/10)  
1234567

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IXXK100N60B3H1 替代型号

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