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IXXH75N60C3D1

更新时间： 2024-02-26 22:46:16

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力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
8页	187K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXXH75N60C3D1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.59	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	150 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	750 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	185 ns	标称接通时间 (ton)：	105 ns
Base Number Matches：	1

IXXH75N60C3D1 数据手册

XPT^TM600V IGBT

GenX3^TMw/ Diode

V_CES= 600V

I_C110= 75A

V_CE(sat)≤ 2.3V

t_fi(typ)= 75ns

IXXH75N60C3D1

Extreme Light Punch Through

IGBT for 20-60 kHz Switching

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

600

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

150

G = Gate

E = Emitter

Collector

Tab = Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

300

I_A

E_AS

T_C= 25°C

500

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5Ω

I_CM= 150

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE≤ V_CES

^zOptimized for 20-60kHz Switching

^zSquare RBSOA

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

μs

^zAnti-Parallel Ultra Fast Diode

^zAvalanche Capability

(SCSOA)

R_G= 22Ω, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

750

^zShort Circuit Capability

^zInternational Standard Package

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

Advantages

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^zHigh Power Density

^z175°C Rated

^zExtremely Rugged

^zLow Gate Drive Requirement

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zPower Inverters

^zUPS

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^zMotor Drives

^zSMPS

5.5

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

25 μA

3 mA

T_J= 150°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

1.85

2.30

DS100330C(01/13)

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXXH80N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK100N60B3H1	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching
IXXK100N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK100N60C3H1	IXYS	获取价格	XPTTM 600V GenX3TM w/ Diode
IXXK100N60C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK100N75B4H1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXK110N65B4H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IXXK110N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
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