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IXXH80N65B4H1

更新时间： 2024-01-08 19:01:42
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 246K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。 此外，它们在短路条件下表现出绝佳的强度——10μs

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XPTTM 650V IGBT  
GenX4TM w/ Sonic  
Diode  
VCES = 650V  
IC110 = 80A  
VCE(sat)  2.1V  
tfi(typ) = 52ns  
IXXH80N65B4H1  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 5-30 kHz Switching  
TO-247 AD  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
C
Tab  
=
E
IC25  
IC110  
IF110  
TC = 25°C (Chip Capability)  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
160  
80  
62  
A
A
A
G = Gate  
E = Emitter  
C
Collector  
Tab = Collector  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
430  
A
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 3  
ICM = 160  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE VCES  
Features  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
μs  
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
Optimized for 5-30kHz Switching  
Square RBSOA  
Anti-Parallel Sonic Diode  
Short Circuit Capability  
PC  
TC = 25°C  
625  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
International Standard Package  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
High Power Density  
Extremely Rugged  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in.  
g
Weight  
Low Gate Drive Requirement  
Applications  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
4.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.5  
50 A  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
4 mA  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 80A, VGE = 15V, Note 1  
1.65  
2.00  
2.10  
V
V
© 2016 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100528C(9/16)  
12345678

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与IXXH80N65B4H1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXK100N60B3H1 IXYS

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 		Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching
IXXK100N60B3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK100N60C3H1 IXYS

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 		XPTTM 600V GenX3TM w/ Diode
IXXK100N60C3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK100N75B4H1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXK110N65B4H1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IXXK110N65B4H1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK160N65B4 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
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IXXK200N60B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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