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IXXH80N65B4H1

更新时间： 2024-11-19 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	246K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。此外，它们在短路条件下表现出绝佳的强度——10μs

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IXXH80N65B4H1 数据手册

XPT^TM650V IGBT

GenX4^TMw/ Sonic

Diode

V_CES= 650V

I_C110= 80A

V_CE(sat) 2.1V

t_fi(typ)= 52ns

IXXH80N65B4H1

Extreme Light Punch Through

IGBT for 5-30 kHz Switching

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

160

G = Gate

E = Emitter

Collector

Tab = Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

430

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 3

I_CM= 160

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

Features

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

μs

(SCSOA)

R_G= 82, Non Repetitive



Optimized for 5-30kHz Switching

Square RBSOA

Anti-Parallel Sonic Diode

Short Circuit Capability



P_C

T_C= 25°C

625

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

International Standard Package

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages



High Power Density

Extremely Rugged

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.



Weight

Low Gate Drive Requirement

Applications



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

4.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.5



50 A

T_J= 150C

4 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 80A, V_GE= 15V, Note 1

1.65

2.00

2.10

DS100528C(9/16)

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXK100N60B3H1	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching
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IXXK100N60C3H1	IXYS	获取价格	XPTTM 600V GenX3TM w/ Diode
IXXK100N60C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK100N75B4H1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXK110N65B4H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IXXK110N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK160N65B4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK160N65C4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
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