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IXXK100N60B3H1

更新时间： 2024-09-30 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关栅双极性晶体管功率控制
页数	文件大小	规格书
8页	265K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXXK100N60B3H1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
Base Number Matches：	1

IXXK100N60B3H1 数据手册

XPT^TM600V IGBTs

GenX3^TMw/ Diode

IXXK100N60B3H1

IXXX100N60B3H1

V_CES= 600V

I_C100= 100A

V_CE(sat)≤ 1.80V

t_fi(typ)= 150ns

Extreme Light Punch Through

IGBT for 10-30kHz Switching

TO-264 (IXXK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

PLUS247 (IXXX)

I_C25

T_C= 25°C (Chip Capability)

Terminal Current Limit

T_C= 100°C

200

160

100

I_LRMS

I_C100

I_F110

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

440

I_A

E_AS

T_C= 25°C

Tab

600

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 200

μs

G = Gate

C = Collector

= Emitter

(RBSOA)

@V_CE≤ V_CES

Tab = Collector

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

(SCSOA)

R_G= 10Ω, Non Repetitive

Features

P_C

T_C= 25°C

695

^zOptimized for 10-30kHz Switching

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

Square RBSOA

Avalanche Rated

Short Circuit Capability

Anti-Parallel Ultra Fast Diode

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

High Current Handling Capability

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

Advantages

Weight

TO-264

PLUS247

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

5.5

50 μA

4 mA

T_J= 125°C

T_J= 150°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

Lamp Ballasts

V_CE(sat)

I_C= 70A, V_GE= 15V, Note 1

1.50

1.77

1.80

DS100285D(04/13)

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXK100N60C3H1	IXYS	获取价格	XPTTM 600V GenX3TM w/ Diode
IXXK100N60C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK100N75B4H1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXK110N65B4H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IXXK110N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK160N65B4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
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