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IXXH60N65C4

更新时间： 2024-11-19 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	237K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。此外，它们在短路条件下表现出绝佳的强度——10μs

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IXXH60N65C4 数据手册

XPT^TM650V IGBT

GenX4^TM

V_CES= 650V

I_C110= 60A

V_CE(sat) 2.4V

t_fi(typ)= 42ns

IXXH60N65C4

Extreme Light Punch Through

IGBT for 20-60 kHz Switching

TO-247

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

135

G = Gate

E = Emitter

Collector

T_C= 25°C, 1ms

260

Tab = Collector

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5

I_CM= 120

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

μs

(SCSOA)

R_G= 82, Non Repetitive

Features

P_C

T_C= 25°C

536

^Optimized for 20-60kHz Switching

^Square RBSOA

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

^Short Circuit Capability

^International Standard Package

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in

^High Power Density

^175°C Rated

Weight

^Extremely Rugged

^Low Gate Drive Requirement

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

4.0

Typ.

Max.

^Power Inverters

^UPS

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^Motor Drives

6.5

^SMPS

^PFC Circuits

10 A

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

^High Frequency Power Inverters

T_J= 150C

300 A

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

1.9

2.3

2.4

DS100493C(9/16)

12 3 4 5 6 7

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IXXH75N60B3D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
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