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IXXH75N60B3

更新时间： 2024-11-18 20:03:51
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力特 - LITTELFUSE 栅
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7页 169K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXXH75N60B3 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Base Number Matches：1

IXXH75N60B3 数据手册

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Advance Technical Information  
XPTTM 600V IGBT  
GenX3TM  
VCES = 600V  
IC110 = 75A  
VCE(sat) ≤ 1.85V  
tfi(typ) = 125ns  
IXXH75N60B3  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 5-30 kHz Switching  
TO-247 AD  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ  
G
C
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
Tab  
E
IC25  
IC110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
160  
75  
A
A
G = Gate  
E = Emitter  
C
=
Collector  
Tab = Collector  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
300  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
30  
A
500  
mJ  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 5Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 150  
A
μs  
W
Features  
(RBSOA)  
@VCE ≤ VCES  
z Optimized for 5-30kHz Switching  
z Square RBSOA  
tsc  
VGE= 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
(SCSOA)  
RG = 22Ω, Non Repetitive  
z Avalanche Capability  
z Short Circuit Capability  
z International Standard Package  
PC  
TC = 25°C  
750  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
Advantages  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z High Power Density  
z 175°C Rated  
z Extremely Rugged  
z Low Gate Drive Requirement  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in.  
g
Weight  
Applications  
z Power Inverters  
z UPS  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
z Motor Drives  
z SMPS  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
z PFC Circuits  
z Battery Chargers  
z Welding Machines  
z Lamp Ballasts  
5.5  
25 μA  
2 mA  
TJ = 150°C  
TJ = 150°C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 60A, VGE = 15V, Note 1  
1.60  
2.00  
1.85  
V
V
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100327(05/11)  
1234567

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与IXXH75N60B3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXH75N60B3D1 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH75N60B3D1 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IXXH75N60C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH75N60C3D1 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH75N60C3D1 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IXXH80N65B4 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH80N65B4H1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK100N60B3H1 IXYS

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 		Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching
IXXK100N60B3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK100N60C3H1 IXYS

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 		XPTTM 600V GenX3TM w/ Diode

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